Izvedbe
Izvedbe visokofrekvenčnih PIN diod
N+
(podlaga)
P+
I (π ali ν)
A(P)
K(N)
A
K
d ≡ debelina plasti I
(čas vklopa diode)
Debelina d
plasti I
A(P)
K(N)
Rekombinacijski čas τ
manjšinskih nosilcev
Krmiljeno
VF stikalo
1μm
Nastavljivi
VF upor
Zaščitni
omejevalnik
5μm
100μm
10ns
1μs
100ns
Šibko dopiranje
π ali ν ~1014cm-3
Au→τ (izklop)